产品介绍
随着手机快充、电动汽车、无刷电机和移动储能的兴起，中低压MOSFET的需求越来越大。SGT MOSFET作为中低压MOSFET的代表，被广泛应用于手机快充、电机驱动和电源管理系统等领域，成为关键性功率器件。
江苏海矽美SGT MOS系列产品基于成熟的屏蔽栅沟槽技术，通过优化电场分布和沟槽结构，显著降低Rsp【导通电阻Rds(on)*芯片面积】，结合高功率密度封装（如PDFN、TO-263M超薄型系列），在相同体积下输出更高功率。同时，通过优化屏蔽栅设计，大幅降低栅极电荷Qg，反向恢复电荷Qrr，更利于减小关断损耗以及电流尖峰，增强整机系统稳定性。并且通过优化输入电容比值，加强了栅极抗串扰能力，使其不易发生米勒串扰，减小了直通风险。
产品特点
1、低特征导通电阻Rsp【导通电阻Rds(on)*芯片面积】，提高功率密度。
2、低品质因子FOM【导通电阻Rds(on)*栅极总电荷Qg】，减小开关损耗。
3、低反向恢复电荷Qrr，减小关断损耗。
4、低反向恢复电流Irrm，减小关断电压应力。
5、高可靠性，能够承受更高的雪崩击穿和浪涌电流。
苏公网安备32028102001974