产品介绍
江苏海矽美推出第三代半导体SiC MOSFET 产品，产品封装形式涉及TO-252/TO-247/TO-220/TO-263M/TO-220F/TO-263等。
江苏海矽美SiC MOSFET 产品具有更高的阻断电压、更快的开关频率、更强的耐高温特性，及系统优势：更低功率损耗、更高功率密度、更高工作频率、更高工作温度、更低 EMI，最重要的是更小系统尺寸和成本，从而提高能效。
产品组合涵盖 650V、1200V等电压等级，导通电阻额定值覆盖 20mΩ 至540mΩ，在各个重点领域中已经大批量使用，具有出众的可靠性。
产品特点
栅极驱动15-18V，可兼容现有IC
更低的导通电阻，降低体二极管恢复时间
降低芯片Qg、电容，具有极低的开关损耗
绝佳的栅极氧化层可靠性
极低的开关损耗和导通损耗
与硅基MOS管和IGBT兼容的驱动
充足的短路抗雪崩能力
苏公网安备32028102001974