产品介绍
江苏海矽美推出具体一定特色的TO-263M-2L超薄款封装形式的第三代半导体SiC MOSFET产品。
TO-263M-2L超薄封装产品，可与常规的TO-263-2L实行引脚兼容,但是其封装塑封体厚度与传统TO-263相比，厚度减少了约60%,此封装形式产品可满足工规要求,湿敏等级可通过MSL-1, 对比常规的TO-277、DFN封装，可以最大限度提高额定功率，实现小型化和节省空间的设计,可满足一些产品相对空间有限, 但是其功率密度要求较高的场所。
TO-263M-2L超薄封装的SiC MOSFET产品涵盖 650V电压等级，导通电阻额定值覆盖 100mΩ 至540mΩ。
产品特点
低高度（1.7mm典型值）
高散热化
可同TO-263-2L封装实行引脚兼容
提升效率
可提供工规产品
对比TO-277、DFN封装，可以最大限度提高额定功率，实现小型化和节省空间的设计。
符合ROHS、SVHC、无卤等环保要求
通过MSL-1湿敏等级
苏公网安备32028102001974